欧盟“CMOS光电子功能集成项目”（HELIOS）的资助下，法国原子能委员会旗下的电子信息技术研究所（CEA-Leti），以及由法国阿尔卡特朗讯贝尔实验室、泰雷兹研究与技术公司和CEA-Leti组成的III-V联合实验室近日研发出世界上第一款集成可调谐硅基发射器，首次在硅片上集成了可调谐的激光源，从而向研制完全集成的硅基收发器迈出了关键一步。

该发射器采用直接键合的方式将III-V族材料嵌入硅片，制造出一个混合的III-V/Si激光器。该激光器具备9纳米波长可调性、一个Mach-Zehnder调制器和高达10 dB的消光比，从而实现了很低的误码率。CEA-Leti和III-V实验室的科研人员还展示了一台单一波长的可调谐激光器，其在20摄氏度下的临界电流为20mA，调谐范围45nm，超过调谐范围的侧模压抑率（Side Mode Suppression Ratio）大于40dB。

硅光子学是一项非常强大的技术，它具备大规模制造CMOS光子器件的潜能，但缺乏作为CMOS基础材料的硅基光源却是发展硅光子学的一大障碍。CEA-Leti和III-V实验室的科研人员通过在硅晶片上键合III-V族材料克服了这一难题，在硅光子学研究领域取得了重大突破。该研究结果在美国洛杉矶举行的“2012光纤通信大会”上正式对外宣布。