挪威科技大学的研究人员在世界上首次开发出一种基于石墨烯的半导体，其厚度远远低于目前使用的硅半导体，有望引发半导体产业的变革。
　　研究人员使用砷化镓轰击石墨烯表面，在石墨烯上生长出垂直排列的砷化镓半导体纳米线，从而得到一个由混合材料构成的微型纳米线网络。新合成的砷化镓纳米线/石墨烯混合半导体具有优良的光电性能和透明、可弯曲等特性，且其厚度仅1微米，只有当前使用的硅半导体厚度的几百分之一，有助于降低半导体组件的生产成本并提高其效率，从而在半导体产业引发变革。该混合半导体材料有望首先在太阳能电池和发光二极管制造中获得应用。
　　相关研究结果已发表在《纳米快报》（NANO Letter）上。
　　张娟 编译：
　　http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl3018115
　　http://www.forskningsradet.no/en/Newsarticle/New_material_may_replace_silicon/1253980495387