瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）的科学家正致力于研发产业化3D芯片原型及其高性能高可靠的制造方法。
　　3D芯片由三个或更多的处理器芯片垂直堆叠而成，因此其速度更快、可支持多任务、内存更大、计算能力更强、拥有更好的功能和无线连接。EPFL微电子系统实验室（LSM）的主任Yusuf Leblebici认为3D芯片可以大大提高效率，符合未来电子技术的发展。
　　该芯片只能水平地沿其边缘通过连接组装，通过几百个非常薄的铜微管垂直连接，采用“穿透硅通孔”（Through-Silicon-Vias，TSV）技术，穿过每个芯片硅层中心的小洞。
　　Leblebici称，要达到理想结果，研究人员必须克服一些困难，如铜连接的脆弱性等。同时，由于芯片只有约50微米厚，因此三年间，他们提出并测试了数以千计的TSV连接方式，并有超过900个同时运作测试。现在，他们已经掌握了有效的生产过程，并将在实验室中制造出由TSV进行网络连接的3D多核处理器。该技术将在商业化之前，提供给一些学术研究团队进行进一步开发。
　　徐婧 编译自：http://www.eurekalert.org/pub_releases/2012-01/epfd-jcw012412.php